Kaufen Vishay Siliconix SIHG33N65E-GE3 MOSFET N-CH 650V 32.4A TO-247AC

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Datenblätter

SIHG33N65E-GE3

MOSFET N-CH 650V 32.4A TO-247AC

Artikelnummer

SIHG33N65E-GE3

Hersteller/Marke

Vishay Siliconix

Teilestatus

Active

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Through Hole

Paket/Koffer

TO-247-3

Gerätepaket des Lieferanten

TO-247AC

Verlustleistung (max.)

313W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

Drain-Source-Spannung (Vdss)

650V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

32.4A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

105 mOhm @ 16.5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

173nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

4040pF @ 100V

Vgs (Max)

±30V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

10V

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