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SIHG050N60E-GE3

MOSFET N-CH 600V

Artikelnummer

SIHG050N60E-GE3

Hersteller/Marke

Vishay Siliconix

Serie

Teilestatus

Active

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Through Hole

Paket/Koffer

TO-247-3

Gerätepaket des Lieferanten

TO-247AC

Verlustleistung (max.)

278W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

Drain-Source-Spannung (Vdss)

600V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

51A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

50 mOhm @ 23A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

130nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

3459pF @ 100V

Vgs (Max)

±30V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

10V

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