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SIHG11N80E-GE3

MOSFET N-CH 800V 12A TO247AC

Artikelnummer

SIHG11N80E-GE3

Hersteller/Marke

Vishay Siliconix

Serie

Teilestatus

Active

Verpackung

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Through Hole

Paket/Koffer

TO-247-3

Gerätepaket des Lieferanten

TO-247AC

Verlustleistung (max.)

179W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

800V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

12A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

440 mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

88nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

1670pF @ 100V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

10V

Vgs (Max)

±30V

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