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SIHG17N60D-E3
MOSFET N-CH 600V 17A TO247AC
Artikelnummer
SIHG17N60D-E3
Hersteller/Marke
Serie
-
Teilestatus
Active
Verpackung
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Paket/Koffer
TO-247-3
Gerätepaket des Lieferanten
TO-247AC
Verlustleistung (max.)
277.8W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
340 mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
90nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
1780pF @ 100V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
10V
Vgs (Max)
±30V
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