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STU6N90K5

STU6N90K5

N-CHANNEL 900 V, 2.1 OHM TYP., 3
Artikelnummer
STU6N90K5
Hersteller/Marke
Serie
MDmesh™ K5
Teilestatus
Active
Verpackung
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Paket/Koffer
TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB
Gerätepaket des Lieferanten
IPAK (TO-251)
Verlustleistung (max.)
110W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
900V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.1 Ohm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 100µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
-
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
10V
Vgs (Max)
±30V
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