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STU6N65M2

MOSFET N-CH 650V 4A IPAK

Artikelnummer

STU6N65M2

Hersteller/Marke

STMicroelectronics

Serie

MDmesh™

Teilestatus

Active

Verpackung

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Through Hole

Paket/Koffer

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Gerätepaket des Lieferanten

IPAK (TO-251)

Verlustleistung (max.)

60W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

650V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

4A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.35 Ohm @ 2A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

9.8nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

226pF @ 100V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

10V

Vgs (Max)

±25V

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