Kaufen STMicroelectronics STU6N60M2 MOSFET N-CH 600V IPAK

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STU6N60M2

MOSFET N-CH 600V IPAK

Artikelnummer

STU6N60M2

Hersteller/Marke

STMicroelectronics

Serie

MDmesh™ II Plus

Teilestatus

Active

Verpackung

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Through Hole

Paket/Koffer

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Gerätepaket des Lieferanten

I-PAK

Verlustleistung (max.)

60W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

600V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

4.5A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.2 Ohm @ 2.25A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

13.5nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

232pF @ 100V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

10V

Vgs (Max)

±25V

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