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RQ6E045BNTCR

MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT

Artikelnummer

RQ6E045BNTCR

Hersteller/Marke

Rohm Semiconductor

Serie

Teilestatus

Active

Verpackung

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Gerätepaket des Lieferanten

TSMT6 (SC-95)

Verlustleistung (max.)

1.25W (Ta)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

4.5A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

30 mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

8.4nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

330pF @ 15V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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