Kaufen Rohm Semiconductor RQ6E030ATTCR MOSFET P-CH 30V 3A TSMT

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Datenblätter

RQ6E030ATTCR

MOSFET P-CH 30V 3A TSMT

Artikelnummer

RQ6E030ATTCR

Hersteller/Marke

Rohm Semiconductor

Serie

Teilestatus

Active

Verpackung

Digi-Reel®

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

SC-74, SOT-457

Gerätepaket des Lieferanten

TSMT6 (SC-95)

Verlustleistung (max.)

FET-Typ

P-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

Rds On (Max) @ Id, Vgs

91 mOhm @ 3A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

5.4nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

240pF @ 15V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

Vgs (Max)

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