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RQ6E030ATTCR

RQ6E030ATTCR

MOSFET P-CH 30V 3A TSMT
Artikelnummer
RQ6E030ATTCR
Hersteller/Marke
Serie
-
Teilestatus
Active
Verpackung
Digi-Reel®
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
-
Befestigungsart
Surface Mount
Paket/Koffer
SC-74, SOT-457
Gerätepaket des Lieferanten
TSMT6 (SC-95)
Verlustleistung (max.)
-
FET-Typ
P-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
91 mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
5.4nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
240pF @ 15V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
-
Vgs (Max)
-
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