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RQ6E035ATTCR

RQ6E035ATTCR

MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT
Artikelnummer
RQ6E035ATTCR
Hersteller/Marke
Serie
-
Teilestatus
Active
Verpackung
Cut Tape (CT)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket/Koffer
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Gerätepaket des Lieferanten
TSMT6 (SC-95)
Verlustleistung (max.)
1.25W (Ta)
FET-Typ
P-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
50 mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
10nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
475pF @ 15V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
4.5V, 10V
Vgs (Max)
±20V
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