Kaufen Infineon Technologies IRF1018ESLPBF MOSFET N-CH 60V 79A TO-262

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IRF1018ESLPBF

MOSFET N-CH 60V 79A TO-262

Artikelnummer

IRF1018ESLPBF

Hersteller/Marke

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Teilestatus

Obsolete

Verpackung

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart

Through Hole

Paket/Koffer

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Gerätepaket des Lieferanten

TO-262

Verlustleistung (max.)

110W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

60V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

79A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.4 mOhm @ 47A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 100µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

69nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

2290pF @ 50V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

10V

Vgs (Max)

±20V

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