Kaufen Infineon Technologies IRF100B202 MOSFET N-CH 100V 97A TO-220AB

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IRF100B202

MOSFET N-CH 100V 97A TO-220AB

Artikelnummer

IRF100B202

Hersteller/Marke

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®, StrongIRFET™

Teilestatus

Active

Verpackung

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart

Through Hole

Paket/Koffer

TO-220-3

Gerätepaket des Lieferanten

TO-220AB

Verlustleistung (max.)

221W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

100V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

97A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.6 mOhm @ 58A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 150µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

116nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

4476pF @ 50V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

10V

Vgs (Max)

±20V

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