Kaufen Infineon Technologies IRF100S201 MOSFET N-CH 100V 192A D2PAK

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Datenblätter

IRF100S201

MOSFET N-CH 100V 192A D2PAK

Artikelnummer

IRF100S201

Hersteller/Marke

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®, StrongIRFET™

Teilestatus

Active

Verpackung

Digi-Reel®

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Gerätepaket des Lieferanten

D²PAK (TO-263AB)

Verlustleistung (max.)

441W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

100V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

192A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.2 mOhm @ 115A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

255nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

9500pF @ 50V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

10V

Vgs (Max)

±20V

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