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IRF100P218XKMA1

TRENCH_MOSFETS

Artikelnummer

IRF100P218XKMA1

Hersteller/Marke

Infineon Technologies

Serie

StrongIRFET™

Teilestatus

Active

Verpackung

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart

Through Hole

Paket/Koffer

TO-247-3

Gerätepaket des Lieferanten

TO-247AC

Verlustleistung (max.)

556W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

100V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.28 mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.8V @ 278µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

555nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

25000pF @ 50V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

6V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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