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Datenblätter

SIB408DK-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 7A PPAK SC75-6L

Artikelnummer

SIB408DK-T1-GE3

Hersteller/Marke

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Teilestatus

Active

Verpackung

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

PowerPAK® SC-75-6L

Gerätepaket des Lieferanten

PowerPAK® SC-75-6L Single

Verlustleistung (max.)

2.4W (Ta), 13W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

7A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

40 mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

9.5nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

350pF @ 15V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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