Kaufen Vishay Siliconix SIB406EDK-T1-GE3 MOSFET N-CH 20V 6A SC-75-6

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Datenblätter

SIB406EDK-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 6A SC-75-6

Artikelnummer

SIB406EDK-T1-GE3

Hersteller/Marke

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Teilestatus

Active

Verpackung

Digi-Reel®

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

PowerPAK® SC-75-6L

Gerätepaket des Lieferanten

PowerPAK® SC-75-6L Single

Verlustleistung (max.)

1.95W (Ta), 10W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

6A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

46 mOhm @ 3.9A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.4V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

350pF @ 10V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

2.5V, 4.5V

Vgs (Max)

±12V

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