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SI4666DY-T1-GE3

MOSFET N-CH 25V 16.5A 8-SOIC

Artikelnummer

SI4666DY-T1-GE3

Hersteller/Marke

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Teilestatus

Active

Verpackung

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Gerätepaket des Lieferanten

8-SO

Verlustleistung (max.)

2.5W (Ta), 5W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

25V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

16.5A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

34nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

1145pF @ 10V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

2.5V, 10V

Vgs (Max)

±12V

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