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SI4618DY-T1-E3

MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC

Artikelnummer

SI4618DY-T1-E3

Hersteller/Marke

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Teilestatus

Active

Verpackung

Tape & Reel (TR)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Leistung max

1.98W, 4.16W

Gerätepaket des Lieferanten

8-SO

FET-Typ

2 N-Channel (Half Bridge)

FET-Funktion

Standard

Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

8A, 15.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

17 mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

44nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

1535pF @ 15V

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