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SI4620DY-T1-E3

SI4620DY-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC
Artikelnummer
SI4620DY-T1-E3
Hersteller/Marke
Serie
LITTLE FOOT®
Teilestatus
Last Time Buy
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket/Koffer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gerätepaket des Lieferanten
8-SO
Verlustleistung (max.)
2W (Ta), 3.1W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
Schottky Diode (Isolated)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
6A (Ta), 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
35 mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
13nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
1040pF @ 15V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
4.5V, 10V
Vgs (Max)
±20V
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