Kaufen Vishay Siliconix SI3552DV-T1-GE3 MOSFET N/P-CH 30V 6-TSOP

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Datenblätter

SI3552DV-T1-GE3

MOSFET N/P-CH 30V 6-TSOP

Artikelnummer

SI3552DV-T1-GE3

Hersteller/Marke

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Teilestatus

Active

Verpackung

Cut Tape (CT)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Leistung max

1.15W

Gerätepaket des Lieferanten

6-TSOP

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

Rds On (Max) @ Id, Vgs

105 mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 250µA (Min)

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

3.2nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

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