Das Bild kann eine Darstellung sein.
Siehe Spezifikationen für Produktdetails.
SI3552DV-T1-E3

SI3552DV-T1-E3

MOSFET N/P-CH 30V 6TSOP
Artikelnummer
SI3552DV-T1-E3
Hersteller/Marke
Serie
TrenchFET®
Teilestatus
Active
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket/Koffer
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Leistung max
1.15W
Gerätepaket des Lieferanten
6-TSOP
FET-Typ
N and P-Channel
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
105 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA (Min)
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
3.2nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
-
Angebot anfordern
Bitte füllen Sie alle erforderlichen Felder aus und klicken Sie auf „SENDEN“. Wir werden Sie innerhalb von 12 Stunden per E-Mail kontaktieren. Wenn Sie ein Problem haben, hinterlassen Sie bitte eine Nachricht oder senden Sie eine E-Mail an [email protected], wir werden so schnell wie möglich antworten.
Auf Lager 48227 PCS
Kontaktinformationen
Schlüsselwörter von SI3552DV-T1-E3
SI3552DV-T1-E3 Elektronische Komponenten
SI3552DV-T1-E3 Verkäufe
SI3552DV-T1-E3 Anbieter
SI3552DV-T1-E3 Verteiler
SI3552DV-T1-E3 Datentabelle
SI3552DV-T1-E3 Fotos
SI3552DV-T1-E3 Preis
SI3552DV-T1-E3 Angebot
SI3552DV-T1-E3 Geringster Preis
SI3552DV-T1-E3 Suchen
SI3552DV-T1-E3 Einkauf
SI3552DV-T1-E3 Chip