Toshiba Semiconductor and Storage
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TPN2R304PL,L1Q
Datenblätter

TPN2R304PL,L1Q

MOSFET N-CH 40V 80A TSON
Artikelnummer
TPN2R304PL,L1Q
Hersteller/Marke
Toshiba Semiconductor and Storage
Serie
U-MOSIX-H
Teilestatus
Active
Verpackung
Digi-Reel®
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
175°C
Befestigungsart
Surface Mount
Paket/Koffer
8-PowerVDFN
Gerätepaket des Lieferanten
8-TSON Advance (3.3x3.3)
Verlustleistung (max.)
630mW (Ta), 104W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
40V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.3 mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 0.3mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
41nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
3600pF @ 20V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
4.5V, 10V
Vgs (Max)
±20V
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