Toshiba Semiconductor and Storage
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TPN2010FNH,L1Q
Datenblätter

TPN2010FNH,L1Q

MOSFET N-CH 250V 5.6A 8TSON
Artikelnummer
TPN2010FNH,L1Q
Hersteller/Marke
Toshiba Semiconductor and Storage
Serie
U-MOSVIII-H
Teilestatus
Active
Verpackung
Cut Tape (CT)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket/Koffer
8-PowerVDFN
Gerätepaket des Lieferanten
8-TSON Advance (3.3x3.3)
Verlustleistung (max.)
700mW (Ta), 39W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
250V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
5.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
198 mOhm @ 2.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 200µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
7nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
600pF @ 100V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
10V
Vgs (Max)
±20V
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