Das Bild kann eine Darstellung sein.
Siehe Spezifikationen für Produktdetails.
Siehe Spezifikationen für Produktdetails.
TPN22006NH,LQ
MOSFET N CH 60V 9A 8-TSON
Artikelnummer
TPN22006NH,LQ
Hersteller/Marke
Serie
U-MOSVIII-H
Teilestatus
Active
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket/Koffer
8-PowerVDFN
Gerätepaket des Lieferanten
8-TSON Advance (3.3x3.3)
Verlustleistung (max.)
700mW (Ta), 18W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
22 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 100µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
12nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
710pF @ 30V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
6.5V, 10V
Vgs (Max)
±20V
Angebot anfordern
Bitte füllen Sie alle erforderlichen Felder aus und klicken Sie auf „SENDEN“. Wir werden Sie innerhalb von 12 Stunden per E-Mail kontaktieren. Wenn Sie ein Problem haben, hinterlassen Sie bitte eine Nachricht oder senden Sie eine E-Mail an [email protected], wir werden so schnell wie möglich antworten.
Auf Lager 5165 PCS
Kontaktinformationen
Verwandte Produkte
Schlüsselwörter von TPN22006NH,LQ
TPN22006NH,LQ Elektronische Komponenten
TPN22006NH,LQ Verkäufe
TPN22006NH,LQ Anbieter
TPN22006NH,LQ Verteiler
TPN22006NH,LQ Datentabelle
TPN22006NH,LQ Fotos
TPN22006NH,LQ Preis
TPN22006NH,LQ Angebot
TPN22006NH,LQ Geringster Preis
TPN22006NH,LQ Suchen
TPN22006NH,LQ Einkauf
TPN22006NH,LQ Chip