Kaufen Toshiba Semiconductor and Storage TPH2R306NH,L1Q MOSFET N CH 60V 60A SOP ADV - YYIC

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TPH2R306NH,L1Q

Datenblätter

TPH2R306NH,L1Q

MOSFET N CH 60V 60A SOP ADV

Artikelnummer

TPH2R306NH,L1Q

Hersteller/Marke

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

U-MOSVIII-H

Teilestatus

Active

Verpackung

Digi-Reel®

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

8-PowerVDFN

Gerätepaket des Lieferanten

8-SOP Advance (5x5)

Verlustleistung (max.)

1.6W (Ta), 78W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

-

Drain-Source-Spannung (Vdss)

60V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

60A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.3 mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

72nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

6100pF @ 30V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

6.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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