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TPH2900ENH,L1Q
MOSFET N-CH 200V 33A SOP8
Artikelnummer
TPH2900ENH,L1Q
Hersteller/Marke
Serie
U-MOSVIII-H
Teilestatus
Active
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket/Koffer
8-PowerVDFN
Gerätepaket des Lieferanten
8-SOP Advance (5x5)
Verlustleistung (max.)
78W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
200V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
29 mOhm @ 16.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
22nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
2200pF @ 100V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
10V
Vgs (Max)
±20V
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