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TK17E80W,S1X

TK17E80W,S1X

MOSFET N-CHANNEL 800V 17A TO220
Artikelnummer
TK17E80W,S1X
Serie
DTMOSIV
Teilestatus
Active
Verpackung
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
150°C
Befestigungsart
Through Hole
Paket/Koffer
TO-220-3
Gerätepaket des Lieferanten
TO-220
Verlustleistung (max.)
180W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
800V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
290 mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 850µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
32nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
2050pF @ 300V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
10V
Vgs (Max)
±20V
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