Kaufen Toshiba Semiconductor and Storage TK17E65W,S1X MOSFET N-CH 650V 17.3A TO-220AB

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TK17E65W,S1X

MOSFET N-CH 650V 17.3A TO-220AB

Artikelnummer

TK17E65W,S1X

Hersteller/Marke

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

DTMOSIV

Teilestatus

Active

Verpackung

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Befestigungsart

Through Hole

Paket/Koffer

TO-220-3

Gerätepaket des Lieferanten

TO-220

Verlustleistung (max.)

165W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

650V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

17.3A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

200 mOhm @ 8.7A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.5V @ 900µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

45nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

1800pF @ 300V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

10V

Vgs (Max)

±30V

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