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STI30N65M5
MOSFET N-CH 650V 22A I2PAK
Artikelnummer
STI30N65M5
Hersteller/Marke
Serie
MDmesh™ V
Teilestatus
Obsolete
Verpackung
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Paket/Koffer
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Gerätepaket des Lieferanten
I2PAK
Verlustleistung (max.)
140W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
139 mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
64nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
2880pF @ 100V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
10V
Vgs (Max)
±25V
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