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STI300N4F6
MOSFET N CH 40V 160A I2PAK
Artikelnummer
STI300N4F6
Hersteller/Marke
Serie
DeepGATE™, STripFET™ VI
Teilestatus
Active
Verpackung
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Paket/Koffer
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Gerätepaket des Lieferanten
I2PAK
Verlustleistung (max.)
300W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
40V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.2 mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
240nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
13800pF @ 25V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
10V
Vgs (Max)
±20V
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