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STI12NM50N

MOSFET N-CH 500V 11A I2PAK

Artikelnummer

STI12NM50N

Hersteller/Marke

STMicroelectronics

Serie

MDmesh™ II

Teilestatus

Obsolete

Verpackung

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Through Hole

Paket/Koffer

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Gerätepaket des Lieferanten

I2PAK

Verlustleistung (max.)

100W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

500V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

11A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

380 mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

940pF @ 50V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

10V

Vgs (Max)

±25V

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