Kaufen STMicroelectronics STI12N65M5 MOSFET N-CH 650V 8.5A I2PAK

Das Bild kann eine Darstellung sein.
Siehe Spezifikationen für Produktdetails.

Weitere Informationen anzeigen Datenblätter

STI12N65M5

MOSFET N-CH 650V 8.5A I2PAK

Artikelnummer

STI12N65M5

Hersteller/Marke

STMicroelectronics

Serie

MDmesh™ V

Teilestatus

Obsolete

Verpackung

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Befestigungsart

Through Hole

Paket/Koffer

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Gerätepaket des Lieferanten

I2PAK

Verlustleistung (max.)

70W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

650V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

8.5A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

430 mOhm @ 4.3A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

22nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

900pF @ 100V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

10V

Vgs (Max)

±25V

Angebot anfordern

Bitte füllen Sie alle erforderlichen Felder aus und klicken Sie auf „SENDEN“. Wir werden Sie innerhalb von 12 Stunden per E-Mail kontaktieren. Wenn Sie ein Problem haben, hinterlassen Sie bitte eine Nachricht oder senden Sie eine E-Mail an [email protected], wir werden so schnell wie möglich antworten.

Auf Lager 49480 PCS

Kontaktinformationen

Verwandte Produkte

STI100N10F7

MOSFET