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US6M1TR

MOSFET N/P-CH 30V/20V TUMT6

Artikelnummer

US6M1TR

Hersteller/Marke

Rohm Semiconductor

Serie

Teilestatus

Active

Verpackung

Tape & Reel (TR)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

6-SMD, Flat Leads

Leistung max

Gerätepaket des Lieferanten

TUMT6

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V, 20V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

1.4A, 1A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

240 mOhm @ 1.4A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

2nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

70pF @ 10V

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