Kaufen Rohm Semiconductor US6M11TR MOSFET N/P-CH 20V/12V TUMT6

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Datenblätter

US6M11TR

MOSFET N/P-CH 20V/12V TUMT6

Artikelnummer

US6M11TR

Hersteller/Marke

Rohm Semiconductor

Serie

Teilestatus

Active

Verpackung

Digi-Reel®

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Leistung max

Gerätepaket des Lieferanten

UMT6

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V, 12V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

1.5A, 1.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

180 mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 1mA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

1.8nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

110pF @ 10V

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