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RZR025P01TL
MOSFET P-CH 12V 2.5A TSMT3
Artikelnummer
RZR025P01TL
Hersteller/Marke
Serie
-
Teilestatus
Active
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket/Koffer
SC-96
Gerätepaket des Lieferanten
TSMT3
Verlustleistung (max.)
1W (Ta)
FET-Typ
P-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
12V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
61 mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
13nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
1350pF @ 6V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
1.5V, 4.5V
Vgs (Max)
±10V
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