Kaufen Rohm Semiconductor RZR020P01TL MOSFET P-CH 12V 2A TSMT3

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Datenblätter

RZR020P01TL

MOSFET P-CH 12V 2A TSMT3

Artikelnummer

RZR020P01TL

Hersteller/Marke

Rohm Semiconductor

Serie

Teilestatus

Active

Verpackung

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

SC-96

Gerätepaket des Lieferanten

TSMT3

Verlustleistung (max.)

1W (Ta)

FET-Typ

P-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

12V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

2A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

105 mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 1mA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

6.5nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

770pF @ 6V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

1.5V, 4.5V

Vgs (Max)

±10V

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