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NVMD6N04R2G

NVMD6N04R2G

MOSFET 2N-CH 40V 4.6A 8-SOIC
Artikelnummer
NVMD6N04R2G
Hersteller/Marke
Serie
-
Teilestatus
Active
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur
-
Befestigungsart
Surface Mount
Paket/Koffer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Leistung max
1.29W
Gerätepaket des Lieferanten
8-SOIC
FET-Typ
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss)
40V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
4.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
34 mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
30nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
900pF @ 32V
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