ON Semiconductor
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NVMD4N03R2G
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NVMD4N03R2G

MOSFET 2N-CH 30V 4A SO8FL
Artikelnummer
NVMD4N03R2G
Hersteller/Marke
ON Semiconductor
Serie
-
Teilestatus
Active
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket/Koffer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Leistung max
2W
Gerätepaket des Lieferanten
8-SOIC
FET-Typ
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
60 mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
16nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
400pF @ 20V
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