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NTMS3P03R2G

MOSFET P-CH 30V 2.34A 8-SOIC

Artikelnummer

NTMS3P03R2G

Hersteller/Marke

ON Semiconductor

Serie

Teilestatus

Obsolete

Verpackung

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Gerätepaket des Lieferanten

8-SOIC

Verlustleistung (max.)

730mW (Ta)

FET-Typ

P-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

2.34A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

85 mOhm @ 3.05A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

750pF @ 24V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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