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NTMS10P02R2G

MOSFET P-CH 20V 8.8A 8-SOIC

Artikelnummer

NTMS10P02R2G

Hersteller/Marke

ON Semiconductor

Serie

Teilestatus

Active

Verpackung

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Gerätepaket des Lieferanten

8-SOIC

Verlustleistung (max.)

1.6W (Ta)

FET-Typ

P-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

8.8A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

14 mOhm @ 10A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

70nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

3640pF @ 16V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

2.5V, 4.5V

Vgs (Max)

±12V

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