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NTHD3102CT1G

NTHD3102CT1G

MOSFET N/P-CH 20V 4A/3.1A 1206A
Artikelnummer
NTHD3102CT1G
Hersteller/Marke
Serie
-
Teilestatus
Active
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket/Koffer
8-SMD, Flat Lead
Leistung max
1.1W
Gerätepaket des Lieferanten
ChipFET™
FET-Typ
N and P-Channel
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)
20V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
4A, 3.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
45 mOhm @ 4.4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
7.9nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
510pF @ 10V
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