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NTHD2110TT1G
MOSFET P-CH 12V 4.5A CHIPFET
Artikelnummer
NTHD2110TT1G
Hersteller/Marke
Serie
-
Teilestatus
Obsolete
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket/Koffer
8-SMD, Flat Lead
Gerätepaket des Lieferanten
ChipFET™
Verlustleistung (max.)
1.1W (Ta)
FET-Typ
P-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
12V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
40 mOhm @ 6.4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
850mV @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
14nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
1072pF @ 6V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
1.8V, 4.5V
Vgs (Max)
±8V
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