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NTHD2102PT1G

NTHD2102PT1G

MOSFET 2P-CH 8V 3.4A CHIPFET
Artikelnummer
NTHD2102PT1G
Hersteller/Marke
Serie
-
Teilestatus
Obsolete
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket/Koffer
8-SMD, Flat Lead
Leistung max
1.1W
Gerätepaket des Lieferanten
ChipFET™
FET-Typ
2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)
8V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
3.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
58 mOhm @ 3.4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
16nC @ 2.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
715pF @ 6.4V
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