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FQB50N06TM
MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
Artikelnummer
FQB50N06TM
Hersteller/Marke
Serie
QFET®
Teilestatus
Active
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket/Koffer
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gerätepaket des Lieferanten
D²PAK (TO-263AB)
Verlustleistung (max.)
3.75W (Ta), 120W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
22 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
41nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
1540pF @ 25V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
10V
Vgs (Max)
±25V
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