Kaufen ON Semiconductor FQB50N06LTM MOSFET N-CH 60V 52.4A D2PAK

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Datenblätter

FQB50N06LTM

MOSFET N-CH 60V 52.4A D2PAK

Artikelnummer

FQB50N06LTM

Hersteller/Marke

ON Semiconductor

Serie

QFET®

Teilestatus

Active

Verpackung

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Gerätepaket des Lieferanten

D²PAK (TO-263AB)

Verlustleistung (max.)

3.75W (Ta), 121W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

60V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

52.4A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

21 mOhm @ 26.2A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

32nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

1630pF @ 25V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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