Kaufen ON Semiconductor FDD3570 MOSFET N-CH 80V 10A D-PAK

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FDD3570

MOSFET N-CH 80V 10A D-PAK

Artikelnummer

FDD3570

Hersteller/Marke

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

Teilestatus

Obsolete

Verpackung

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Gerätepaket des Lieferanten

TO-252

Verlustleistung (max.)

3.4W (Ta), 69W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

80V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

10A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

76nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

2800pF @ 40V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

6V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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