Kaufen ON Semiconductor FDD3510H MOSFET N/P-CH 80V 4.3A/2.8A DPAK

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Datenblätter

FDD3510H

MOSFET N/P-CH 80V 4.3A/2.8A DPAK

Artikelnummer

FDD3510H

Hersteller/Marke

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

Teilestatus

Active

Verpackung

Cut Tape (CT)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD

Leistung max

1.3W

Gerätepaket des Lieferanten

TO-252-4L

FET-Typ

N and P-Channel, Common Drain

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain-Source-Spannung (Vdss)

80V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

4.3A, 2.8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

80 mOhm @ 4.3A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

800pF @ 40V

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