Kaufen NXP USA Inc. PMWD19UN,518 MOSFET 2N-CH 30V 5.6A 8TSSOP

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Datenblätter

PMWD19UN,518

MOSFET 2N-CH 30V 5.6A 8TSSOP

Artikelnummer

PMWD19UN,518

Hersteller/Marke

NXP USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

Teilestatus

Obsolete

Verpackung

Digi-Reel®

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Leistung max

2.3W

Gerätepaket des Lieferanten

8-TSSOP

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

5.6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

23 mOhm @ 3.5A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

700mV @ 1mA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

28nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

1478pF @ 10V

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