Kaufen NXP USA Inc. PMWD16UN,518 MOSFET 2N-CH 20V 9.9A 8TSSOP

Das Bild kann eine Darstellung sein.
Siehe Spezifikationen für Produktdetails.

Datenblätter

PMWD16UN,518

MOSFET 2N-CH 20V 9.9A 8TSSOP

Artikelnummer

PMWD16UN,518

Hersteller/Marke

NXP USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

Teilestatus

Obsolete

Verpackung

Cut Tape (CT)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Leistung max

3.1W

Gerätepaket des Lieferanten

8-TSSOP

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

9.9A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

19 mOhm @ 3.5A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

700mV @ 1mA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

23.6nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

1366pF @ 16V

Angebot anfordern

Bitte füllen Sie alle erforderlichen Felder aus und klicken Sie auf „SENDEN“. Wir werden Sie innerhalb von 12 Stunden per E-Mail kontaktieren. Wenn Sie ein Problem haben, hinterlassen Sie bitte eine Nachricht oder senden Sie eine E-Mail an [email protected], wir werden so schnell wie möglich antworten.

Auf Lager 38587 PCS

Kontaktinformationen

Verwandte Produkte

PMWD15UN,518

MOSFET 2N-CH 20V 11.6A 8TSSOP