Kaufen NXP USA Inc. PMDPB95XNE,115 MOSFET 2N-CH 30V 2.4A HUSON6

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Datenblätter

PMDPB95XNE,115

MOSFET 2N-CH 30V 2.4A HUSON6

Artikelnummer

PMDPB95XNE,115

Hersteller/Marke

NXP USA Inc.

Serie

Teilestatus

Obsolete

Verpackung

Digi-Reel®

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

6-UDFN Exposed Pad

Leistung max

475mW

Gerätepaket des Lieferanten

DFN2020-6

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

2.4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

120 mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

2.5nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

143pF @ 15V

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